【消費電子實驗室-2021/8/23】據東方網8月22日報道：突破20多年來阻礙閃存存儲技術縮微擴容發展的瓶頸，實現中國存儲芯片領域原創專利“零的突破”。今天，中天弘宇集成電路有限責任公司（簡稱：中天弘宇）在上海發布最新自主原創先進存儲技術。 “二次電子倍增注入浮柵”技術 實現中國存儲器底層技術零的突破 中天弘宇運用“二次電子倍增注入浮柵” 的物理現象，并利用其進行了創新結構設計，初步構建了擁有國內、國際完整自主知識產權專利的系列新型高性能快閃存儲器產品。研發成功的新型快閃存儲器具有完整自主知識產權體系，先進高效閃存研發成果，創新存算一體解決方案，同時還具有關鍵環節配合協同發展。
記者了解到，該款產品創造性地對閃存存儲進行重構，突破了20多年來阻礙閃存存儲技術縮微擴容發展的瓶頸，使得其在同樣的工藝條件下，可以做到大容量、小面積、低功耗，且有效解決大規模數據存儲、運行一體化的技術性難題。為人工智能等行業發展，提供可靠、高效的存儲技術解決方案。 該項發明成果已在中、日、美、韓和中國臺灣地區申請了成體系的原創性發明專利，其中多項核心專利已獲批，專利體系化建設在不斷完善之中。 為數字信息化提供優質存算一體化解決方案 中天弘宇副總裁兼首席技術官聶虹介紹， “二次電子倍增注入浮柵”技術在90nm技術節點流片成功是一個重要的里程碑。未來將進一步拓展應用領域，協同EDA工具、應用設計、制造、封裝、測試一體化發展，為全球數字信息化浪潮提供優質的存儲及存算一體化解決方案。 中國工程院院士倪光南在視頻致辭中指出：中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術是一項重大發明，實現了中國存儲器底層技術零的突破。希望中天弘宇與集成電路行業企業一起發奮努力，設計創新更多自主原創的產品，提高自主原創存儲器的市場份額，解決存儲器的被動局面。 發布會上還邀請到了新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導體產業協會中國區總裁居龍、南芯半導體市場總監劉崇和資深工藝專家官浩等，共同研討了國內先進存儲技術和產業化進展狀況，針對產業鏈融合、工藝實現、市場推廣、融資策略等方面，提出了真知灼見。 |
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